 |
реклама |
|
|
|
|
|
|
Прикладная физика и математика Аннотация к статье << Назад
Изучение влияния высокочастотных колебаний
на рабочие характеристики
светоизлучающих диодов |
О.И. Рабинович
Разработана методика ультразвукового воздействия (УЗ) на
полупроводниковые материалы типа AIIIBV. Предложен оригинальный неразрушающий метод исследования структуры
полупроводниковых материалов (на примере GaP (N)) и измерения концентрации неподвижных зарядовых центров в
активной области светоизлучающих диодов (СИД) – метод
динамической барьерной емкости. Исследовано влияние
УЗ воздействия на основные характеристики светодиодов
зеленого цвета свечения на основе GaP (N). Обнаружено,
что после 15-ти часового УЗ воздействия происходит заметное перераспределение изоэлектронной примеси азота (в
структуре GaP), снижение концентрации зарядовых центров
в активной области СИД структуры, существенный спад излучательной мощности, а также смещение спектрального
максимума на 4...5 нм в коротковолновую область. Предложена модель механизма структурных изменений материала
под воздействием ультразвуковых колебаний и деградации указанных характеристик (параметров) светодиодов,
согласно которой УЗ колебания создают в кристалле СИД
структуры пьезоэлектрическое поле, вызывающее разогрев
свободных носителей заряда, что приводит к образованию
точечных дефектов и возникновению в запрещенной зоне
уровней безызлучательной рекомбинации.
Ключевые слова: Светоизлучающие диоды, ультразвук, GaN,
AlGaInN.
Контактная информация: Е-mail: rawork2008@mail.ru
Стр. 31-36. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |