Прикладная физика и математика Аннотация к статье << Назад ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФЛУКТУАЦИИ И ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Б.И. ЯКУБОВИЧ Рассмотрены электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда многозарядными ловушками, образованными дефектами структуры. Захват и эмиссия носителей ловушками являются причиной ряда флуктуационных явлений в полупроводниках. С ловушками связывают происхождение нескольких типов электрических шумов, имеющих фундаментальное значение. Шумы в полупроводниках, связанные с ловушками широко исследуются, при этом обычно рассматриваются флуктуации, вызванные однозарядными ловушками. В полупроводниках нередко имеют место многозарядные ловушки, которые могут быть образованы различными дефектами структуры. В связи с этим и важностью механизма флуктуаций, связанных с ловушками, проанализированы электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные многозарядными ловушками. Флуктуации рассмотрены в весьма общем случае: ловушка может иметь произвольное число зарядовых состояний, статистические связи между последовательными событиями процесса изменения зарядового состояния ловушки заданы в общем в виде. В результате дано количественное описание электрических флуктуаций в полупроводниках, вызванных многозарядными ловушками. Вычислено выражение общего вида для спектра флуктуаций. Данное выражение дает универсальное описание электрических флуктуаций, вызванных многозарядными ловушками, и применимо для полупроводников различных типов. Полученные результаты расширяют представления об электрических флуктуациях, вызываемых ловушками, и дополняют количественное описание таких флуктуационных явлений. Ключевые слова: флуктуации, шум, электрические, дефекты, ловушки, полупроводники. DOI: 10.25791/pfim.02.2020.1152 Стр. 03-06.