Прикладная физика и математика Аннотация к статье << Назад ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА А2Б6 НА ПРИМЕРЕ ZnSe А.А. ГЛАДИЛИН В работе представлен обзор исследований полупроводниковых кристаллов типа A2B6 на примере кристаллов ZnSe. Основное внимание уделено влиянию дефектов кристаллической решетки и легирующих примесей на спектры фотолюминесценции. Рассматриваются различные механизмы формирования точечных и протяженных дефектов, а также их влияние на энергетические уровни в запрещенной зоне. В статье анализируются особенности спектров фотолюминесценции кристаллов ZnSe, легированных переходными металлами и галогенами, при различных температурных условиях. Показано, что легирование и наличие дефектов в кристалле оказывают значительное влияние на интенсивность и положение спектральных линий. Данные исследования играют важную роль в разработке новых материалов для лазеров и детекторов среднего инфракрасного диапазона. Ключевые слова: полупроводники, дефекты кристаллической структуры, легирование, фотолюминесценция. DOI: 10.25791/pfi m.05.2024.1306 Стр. 03-11.